Ultra High Thermal Conductive Diamond Wafer

Applications

Ultra High Thermal Conductive Diamond Wafer

SIZE                                                                 1-4 INCH (SHAPE AND DIMENSION CUSTOMZABLE)

GROWTH METHOD:                                        MPCVD

THICKNESS:                                                    0.3-1.0mm

DENSITY:                                           3.52（×103Kg·m-3）

VIKERS HARDNESS:                         80-100GPa

YOUNG’S MODULUS                         1050GPa

SURFACE ROUGHNESS:                                 Ra < 30nm

THERMAL CONDUCTIVITY:                             1200-2000W/m·K

THERMAL EXPANSION:                            1×10-6/K@300K

SPECIFIC HEAT CAPACITY:                             0.502J/gK@300K

BOW:                                                                 < 50μm@4inch；Bow< 30μm@2inch

WARPAGE:                                             < 100μm@4inch；< 50μm@2inch

TTV:                                                                   <30 µm

THICKNESS TOLERANCE:                         ±0.05 mm

WARPAGE:                                          ≤10 µm